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金贝尔分享:FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、开发和质量控制

发布时间:2022-04-01      点击次数:163

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碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于功率半导体器件,碳化硅优于硅,更受青睐。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二极管和MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管),这些器件已应用于铁路、工业逆变器、航空航天、可再生能源风力涡轮机或光伏发电,以及电动或混合动力汽车等领域。企业和研究机构仍在致力于SiC相关的研究开发工作,如进一步发展的“绿色”项目,用于太阳能汽车的移动太阳能收集系统等。

 

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SiC与其他半导体材料的性能比较

在SiC材料的研究与开发中,傅立叶变换红外光谱技术(FT-IR)是一种简单而有效的研究其各种性能的工具。它可以用于测定掺杂浓度、外延层厚度或声子光谱,对晶体结构和质量提供有价值的信息。基于傅立叶变换红外的光致发光光谱技术(FT-PL)可以提供额外的信息,如能带结构和电荷载流子的细节。透射光谱技术可以研究半导体的带隙、激子和其他电子特性。此外,碳化硅杂质和缺陷分析也是材料开发和质量控制的重要步骤。

 

布鲁克(Bruker)公司的VERTEX和INVENIO系列研究级傅立叶变换红外光谱系统,可以覆盖从FIR到VIS/UV的宽光谱范围,拥有优良的步进扫描技术和出色的性能,可选真空光学台,是上述许多应用的分析系统。
布鲁克公司几十年以来一直支持半导体研发,并将为可再生能源和其他与可持续发展有关的领域做进一步贡献,使世界变得更美好。
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